Dopiran kristal polprevodnika

[Rokerda]

Ali je mobilnost pri dopiranem kristalu polprevodnika tipa p večja ali manjša kot pri nedopiranem? Kako je pa z difuzijsko konstanto?

Hvala za odgovor

[GJ]

Ali je mobilnost pri dopiranem kristalu polprevodnika tipa p večja ali manjša kot pri nedopiranem? Kako je pa z difuzijsko konstanto?

Kaj misliš s terminom "mobilnost"?

Lep večer...

[Rokerda]

Mobilnost, mobility, gibljivost.

[GJ]

Mobilnost, mobility, gibljivost.

V kristal se dopirajo (kristal obstreljujejo z atomi) "nečistoče", količina nečistoč oziroma število atomov, ki povzročijo prevodnost spoja tipa P oziroma N je ekstremno majhna, tko da ta bistveno ne vpliva na mehanske lastnosti kristala.
Posamezni atomi nečistoč se obnašajo podobno kot razredčen plin v vakuumu, kar lahko povzroči electroluminescenco.
Pri prekomernem segrevanju P oziroma N obogatenega kristala nečistoče difundirajo nazaj v okolico, tako lahko ponovno očistimo kristal. Kritična temperatura difundacije doniranega kristala je odvisna od vrste doniranih snovi, ponavadi pa se difundacija pospešeno začne (pospešeno staranje spoja) že pri nekaj več kot 100oC. Proces staranja na povišani temperaturi je seveda dvosmeren, kar pomeni, da okoliške nečistoče prav tako lahko vstopijo v sam kristal.

Lep dan...

[Rokerda]

V kristal se dopirajo (kristal obstreljujejo z atomi) "nečistoče", količina nečistoč oziroma število atomov, ki povzročijo prevodnost spoja tipa P oziroma N je ekstremno majhna, tko da ta bistveno ne vpliva na mehanske lastnosti kristala.

Aha, potem v bistvu ostane enaka....hvala.